Điện tử công suất - Chương 1: Mở đầu

Nội dung text: Điện tử công suất - Chương 1: Mở đầu

1. CHƯƠNG1:MĐU LINHKU NðI NT CƠNGSU TT oo LINHKINðINTCƠNGSUT
   Các linh kiện cơng suất giao hốn cĩ những đặc tính sau: 1.1. ðc tính ca cơng tc bán dn • Tốc độ giao hốn nhanh. • Giảm thiểu cơng suất tiêu tán. 2.2. DiodeDiodecơngcơng sut • Chophép điều khiển các tải nặng (dịng tải lớn 3.3. TransistorTransistorcơngcơng sut hayđiện trở tải nhỏ). • Cĩ gắn các bộ vixử lý,viđiều khiển hoặc PLC. H4.4. rotsyiTrhThyristor H • Các linh kiện cơng suất giao hốn thơng dụng 5.5. Tng kt là:Diode,Transistor,Mosfet,SCR,TRIAC,GTO, SCS,IGBT,MCT 11:33AM 11 11:33AM 22 1.ð CTÍNHCƠNGT CBÁND NN 1.ð CTÍNHCƠNGT CBÁND NN o Trường hợp cơng tắc lý tưởng (Vf =0)
   Do tính chất của chất bán dẫn nên khi v,i chịu tác động của xung kích, dạng sĩng ngõ HiệuđiệnthếV ra cĩ dạng như ở hình t DịngđiệnI
   Đặc tuyến giao hốn được biểu diễn từ t t off swon trạng thái tắt (off ) sang trạng thái dẫn (on ) và từ trạng thái dẫn (on ) sang trạng thái ngưng11:33AM (off ) 33 11:33AM 44 1
2. 1.ð CTÍNHCƠNGT CBÁND NN 1.ð CTÍNHCƠNGT CBÁND NN o o Trường hợp cơng tắc lý tưởng (Vf =0) Trường hợp cơng tắc lý tưởng (Vf =0) v,i v,i HiệuđiệnthếV HiệuđiệnthếV t t DịngđiệnI DịngđiệnI toff tswon toff tswon ton 11:33AM 55 11:33AM 66 1.ð CTÍNHCƠNGT CBÁND NN 1.ð CTÍNHCƠNGT CBÁND NN o o Trường hợp cơng tắc lý tưởng (Vf =0) Trường hợp cơng tắc lý tưởng (Vf =0) v,i v,i HiệuđiệnthếV DịngđiệnI Chọnt=0 t t DịngđiệnI HiệuđiệnthếV toff tswon ton tswoff toff tswon ton tswoff  t  t v = V 1−  i = I  tswon  tswon 11:33AM 77 11:33AM 88 2
3. 1.ð CTÍNHCƠNGT CBÁND NN 1.ð CTÍNHCƠNGT CBÁND NN o o Trường hợp cơng tắc lý tưởng (Vf =0) Trường hợp cơng tắc lý tưởng (Vf =0) v,i v,i p p poff=0 pswon on=0 swoff Cơngsuấtp DịngđiệnI DịngđiệnI Chọnt=0 Chọnt=0 t t HiệuđiệnthếV HiệuđiệnthếV toff tswon ton tswoff toff tswon ton tswoff toff tswon  t  t  t  t  t  t  v = V 1−  i = I v = V 1−  i = I p = vi = VI1−    t  t  t  t     swon  swon  swon  swon  tswon  tswon  11:33AM 99 11:33AM 01 01 1.ð CTÍNHCƠNGT CBÁND NN 1.ð CTÍNHCƠNGT CBÁND NN o Trường hợp cơng tắc lý tưởng (Vf ≠0)
   Năng lượng thất thốt trong thời gian v,i tswon 1 W = pdt = VIt khởi dẫn bằng: swon ∫ swon HiệuđiệnthếV 0 6
   Năng lượng thất thốt trong thời gian DịngđiệnI t r swoff 1 t khởi ngưng: Wswoff = pdt = VItswoff ∫ toff tswon ton 0 6
   Năng lượng thất thốt tổng cộng trong 1 chu kỳ giao hốn bằng: Wsw = Wswon +Wswoff = VI(tswon + t swoff ) 6 11:33AM 11 11 11:33AM 21 21 3
4. 1.ð CTÍNHCƠNGT CBÁND NN 1.ð CTÍNHCƠNGT CBÁND NN o o Trường hợp cơng tắc lý tưởng (Vf ≠0) Trường hợp cơng tắc lý tưởng (Vf ≠0) v,i v,i HiệuđiệnthếV DịngđiệnI F DịngđiệnI r HiệuđiệnthếV F t t toff tswon ton toff tswon ton 11:33AM 31 31 11:33AM 41 41 1.ð CTÍNHCƠNGT CBÁND NN 1.ð CTÍNHCƠNGT CBÁND NN o o Trường hợp cơng tắc lý tưởng (Vf ≠0) Trường hợp cơng tắc lý tưởng (Vf ≠0) v,i v,i DịngđiệnI F DịngđiệnI F Chọnt=0 HiệuđiệnthếV F HiệuđiệnthếV F t t toff tswon ton tswoff toff tswon ton tswoff t t  t   t      i = I ;v = −(V −V f ) + V = V 1−  +V f   tswon tswon  tswon   tswon  11:33AM 51 51 11:33AM 61 61 4
5. 1.ð CTÍNHCƠNGT CBÁND NN 1.ð CTÍNHCƠNGT CBÁND NN o o Trường hợp cơng tắc lý tưởng (Vf ≠0) Trường hợp cơng tắc khơng lý tưởng (Vf ≠0) p v,i v,i swon pswoff Cơngsuấtp p ≠0 poff ≠0 on DịngđiệnI F DịngđiệnI F Chọnt=0 HiệuđiệnthếV Chọnt=0 HiệuđiệnthếV F F V t t F toff tswon ton tswoff toff tswon toff tswon ton tswoff t t  t   t  i = I ;v = −(V −V ) + V = V 1−  +V   t t  t   t  t f t  t  f  t  i = I ;v = −(V −V ) + V = V 1−  +V   swon swon  swon   swon  t f t  t  f  t  swon swon  swon   swon  t t 2 p = vi = VI − ()V −V f I 2 tswon tswon 11:33AM 71 71 11:33AM 81 81 1.ð CTÍNHCƠNGT CBÁND NN 2.DIODECƠNGSU TT
   Năng lượng thất thốt trong thời gian o Diode chnh lưu t swon 1 1 1  1  W = pdt = VIt + V It = VI +V I t khởi dẫn bằng: swon ∫ swon f swon  f  swon
   Diode cơng suất hoạt động như diode 0 6 3 3  2 
   Năng lượng thất thốt trong thời gian cơng suất nhỏ (nối pn) nhưng với dịng t swoff 1 1 1  1  điện lớn từ vài chục đến vài trăm Ampe. khởi ngưng: Wswoff = pdt = VItswoff + V f Itswoff =  VI +V f I tswoff ∫ 6 3 3  2  0 J
   Năng lượng thất thốt tổng cộng trong AKp n 1  1  Wsw = Wswon +Wswoff =  VI +V f I ()tswon + tswoff chu kỳ giao hốn bằng: 3  2  11:33AM 91 91 11:33AM 02 02 5
6. 2.DIODECƠNGSU TT 2.DIODECƠNGSU TT o Phân cực Diode • Phân cc thu n o Thời gian phục hồi: • Phân cc ngh ch Khi diode đang dẫn thình lình chuyển sang p p n n trạng thái ngưng, diode khơng thể ngưng ngay mà cĩ thời gian chuyển tiếp do sự hồi Etx Etx Engồi Engồi + + phục của các hạt tải trong nối pn làm dịng và thế cĩ dạng như hình 11:33AM 12 12 11:33AM 22 22 2.DIODECƠNGSU TT 2.DIODECƠNGSU TT o ĐồthịthờigianchuyểntiếpcủaDiode o Cơng suất thất thốt của diode cơng suất di R/dt di F/dt Q =I .t /2 PT = PON + POFF + Psw IF rr RM rr 0,25.I RM t tON I P = V I RM ON F F T t t 3 4 t5 trr t VON OFF V P = V I F OFF R R T t V t t R 1 2 S=t /t VRM 1 5 4 P = P + P = V I ()t + t f sw swon swoff 6 CC F swon swoff 11:33AM 32 32 11:33AM 42 42 6
7. 2.DIODECƠNGSU TT 2.DIODECƠNGSU TT o DiodeSchottky o DiodeSchottky Diode • Diodeschottky đĩng ngắt tốt ởtần số cao schottky • VD nhỏ hơn bình thường,chỉ 0.30.5V thường • DiodeSchottky dùng kim loại bán dẫn được chế điện tạo bằng • DiodeSchottky thường gặp là 1N5817 Cấutạo– Kýhiệu chất GaAs 11:33AM 52 52 11:33AM 62 62 2.DIODECƠNGSU TT 3.TRANSISTORCƠNGSU TT o DiodeSchottky o BJT(BipolarJunctionTransistor) I (mA) Diode D Diode (silicon) Schottky B E B E p p p n n n n n p p p n VD(Volt) 0 0,2 0,4 0,6 0,7 p n C C collector collector Diode Diode Schottky (silicon) PNP NPN base base BJT BJT emitter emitter 11:33AM 72 72 11:33AM 82 82 7
8. 3.TRANSISTORCƠNGSU TT 3.TRANSISTORCƠNGSU TT o Đặc tuyến của BJT o Trạng thái đĩng ngắt của transistorcơng suất 11:33AM 92 92 11:33AM 03 03 3.TRANSISTORCƠNGSU TT 3.TRANSISTORCƠNGSU TT o Mch bo v BJT ic o Cơng suất thất thốt của BJT VCC Ic • Khi transistor dẫn bão hịa, ta cĩ: t tON tON D R i 0 t P = ()V I +V I ≈ V I s f ON CEbh CM BEbh B T CEbh CM T Is • Khi transistor ngưng dẫn và dịng rỉ Ir B Q t t v 0 t P = V I OFF Cs CE f rất bé, ta cĩ: OFF CC r T 1 P = P + P = V I ()t + t f t sw swon swoff 6 CC F ()max swon swoff 11:33AM 13 13 11:33AM 23 23 8
9. 3.TRANSISTORCƠNGSU TT 3.TRANSISTORCƠNGSU TT o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) o MOSFET: hình thành hai dịng song song như sơ đồ cấu trúc tương đương 11:33AM 33 33 11:33AM 43 43 3.TRANSISTORCƠNGSU TT 3.TRANSISTORCƠNGSU TT o Đặc tuyến của MOSFET o Hoạt động của MOSFET Ngu nnVVG1 G1 11:33AM 53 53 11:33AM 63 63 9
10. 3.TRANSISTORCƠNGSU TT 3.TRANSISTORCƠNGSU TT o Hoạt động của MOSFET o Hoạt động của MOSFET Ngu nnVVG2 G2 Ngu nnVVG3 G3 11:33AM 73 73 11:33AM 83 83 3.TRANSISTORCƠNGSU TT 3.TRANSISTORCƠNGSU TT o Mch bo v cho MOSFET o Cơng suất thất thốt của MOSFET • Khi MOSFET dẫn bão hịa, ta cĩ: t P = I 2 R ON ON D DS ()on T • Khi MOSFET ngưng dẫn và dịng rỉ Ir t P = V I OFF Mạch RC nhỏ mắc songsong với ngõ ra của linh rất bé, ta cĩ: OFF DS max r T kiện để hạn chế tác dụng các dãy điện áp và các 1 P = P + P = V I ()t + t f sw swon swoff 6 nguon F ()max swon swoff xung nhiễu dao động xuất hiện khi linh kiện đĩng 11:33AM 93 93 11:33AM 04 04 10
11. 3.TRANSISTORCƠNGSU TT 3.TRANSISTORCƠNGSU TT o IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor) o Mạchtươngđương IGBT oLà linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và cơng suất lớn của Transistor với điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của MOSFET: Cáchđin E E G E nn n n p p n- G p+ C C 11:33AM 14 14 11:33AM 24 24 3.TRANSISTORCƠNGSU TT 3.TRANSISTORCƠNGSU TT o Đặctuyếncủa IGBT o Cơng trên tải 2 VL • Cơng suất trung bình cấp cho tải: PL = RL V t V = cc ON Với thời gian dẫn tON , ta cĩ: L T V 2  t  s  ON PL =    RL  T o Cơng suất tiêu tán tổng cộng giao hốn: Psw = Pswon + Pswoff = 1 6(VCE max .Icmax )(tswon + tswoff )f sw 11:33AM 34 34 11:33AM 44 44 11
12. 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR Gồmcáclinhkiệncơngsuấtcĩcấutrúcgầnvới o SCR(SiliconControlledRectifier) Thyristor(SCRgọitheophịngthínghiệmBelltừnăm J 1 J2 J3 1956)vàcáclinhkiệnkíchchocáclinhkiệncơng A K p n p n suấttheobảngtĩmtắtsau: 1 1 2 2 HọThyristor Mạchkích UJT Đơnhướng Lưỡnghướng (4lớp) (5lớp) Đơnhướng Lưỡnghướng (4lớp) SCR SCS LASCR TRIAC (5lớp) (3lớp) 0,81000A 0,2A 0,7A 0,580A SUS SBS Diac 1001000V 100V 100600V 100600V 0,2A Diode 0,2A 0,2A 610V Shockley 610V 610V 11:33AM 54 54 11:33AM 64 64 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR i J1 J2 J AK 3 o SCR (khơng p p A 1 n1 2 n2 K o Cĩ thể xem SCR như gồm 2 transistor thơng dụng) npn và pnp ghép “ khố chặt” như ở hình i loại kích dịng AG G đi ra cực G n1 n2 K o SCR (thơng iAK J1 J2 J3 T + _ 2 dụng) loại kích A p1 n1 p2 n2 T1 α 2 IG + (ICBO1 + ICBO2 ) K I = p p A 1 2 1− ()α1 +α 2 dịng đi vào i A G GK G cực G + 11:33AM 74 74 11:33AM 84 84 12
13. 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR o Đặctuyếncủa SCR Để làm SCR từ ngưng dẫn sang dẫn: • Tăng điện thế AK, làm tăng dịng rỉ ICBO , làm xảy ra hiện tượng huỷ thác . • Tăng dịng cửa IG để các transistor nhanh chĩng đi vào dẫn bảo hồ • Tăng nhiệt độ t0 mối nối làm tăng dịng trong T1, T2 • Tăng tốc độ tăng thế dV/dt tạo dịng nạp cho điện dung nối pn • Sử dụng năng lượng quang học như ánh sáng để làm dẫn các SCR quang (LASCR – Light actived SCR) 11:33AM 94 94 11:33AM 05 05 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR o TRIAC(TriodeAlternativeCurrent) Để làm SCR từ dẫn sang ngưng dẫn: MT MT MT • Cắt bỏ nguồn cấp điện VAK . 2 2 2 MT 2 P MT 2 • Thắng động lực: dùng một bộ phận cĩ điện trở N1 P1 N MT 2 N P thật nhỏ mắc song song với SCR để tạo ra dịng N G G G 2 P G G N G P MT MT IA < IH N 2 MT 1 1 1 3 N4 N P • Tạo VAK < 0 (dịng xoay chiều, xung giao MT MT MT 1 1 1 hốn ) 11:33AM 15 15 11:33AM 25 25 13
14. 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR o CĩthểxemTriacnhưgồm2SCRghép o Đặctuyếncủa Triac đốisongnhưngchỉcĩ1cổngkíchchung. T1 T U 1 Z Z U1 T2 MT 1 MT 2 MT 2 MT 1 G G 11:33AM 35 35 11:33AM 45 45 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR o Bốn kiểu hoạt động của Triac: o Các cách kích Triac: KiuI+ KiuI KiuII+ KiuII Vì Triac dẫn trong cả 2 chiều nên cách kích VMT1MT2 >0 VMT1MT2 >0 VMT1MT2 0 IG 0 IG MT2 MT1>MT2 MT2>MT1 MT2>MT1 555, mạch số, Flip flop , nhưng đặc biệt vẫn là mạch dùng DIAC. 11:33AM 55 55 11:33AM 65 65 14
15. 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR o MCT (Mosfet Controlled Thyristor) cĩ cấu o MCT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác tạo kết hợp cơng nghệ của thyristor với ưu động nhanh và cơng suất lớn của SCR với điểm tổn hao dẫn điện thấp và khả năng điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của chịu áp cao của với khả năng đĩng ngắt nhanh. MOSFET Mosfet. Cĩ 2 loại MCT: NMCT và PMCT, do cách ghép của 2 Mosfet làm cổng như hình 11:33AM 75 75 11:33AM 85 85 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR o Đặc tính đĩng ngắt của MCT: cĩ đặc o tuyến như SCR cổ điển vì khơng dẫn ở điện Khả năng chịu tải của MCT: thế nghịch hình MCT được áp dụng cho các trường hợp yêu cầu điện trở và độ tự cảm nhỏ với khả năng chịu được dịng điện lớn và di/dt cao. MCT được sử dụng làm thiết bị phĩng nạp điện cho máy bay, xe ơ tơ, tàu thủy, nguồn cung cấp tivi. 11:33AM 95 95 11:33AM 06 06 15
16. 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR o GTO (Gate turn – off Thyristor) GTO được kích đĩng bằng xung dịng điện tương Cĩ cấu tạo phức tạp hơn tự như khi kích đĩng SCR thơng thường. Dịng điện SCR cổ điển để cĩ thể tắt kích đĩng được tăng đến giá trị IGM và sau đĩ giảm SCR đang dẫn bằng cách xuống đến giá trị I . cho xung âm vào cực G G (mà trước đĩ đã làm SCR dẫn bằng cách xung dương vào G) hình 11:33AM 16 16 11:33AM 26 26 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR o Kích mở GTO o Kích đĩng GTO Để kích ngắt GTO, Điểm khác biệt xung dịng điện so với yêu cầu âm lớn được đưa xung kích đĩng vào cổng G – SCR là dịng cathode với độ dốc kích i phải tiếp G (di /dt ) lớn hơn tục duy trì GQ giá trị qui định của trong suốt thời linh kiện, nĩ đẩy gian GTO dẫn các hạt mang điện điện. khỏi cathode 11:33AM 36 36 11:33AM 46 46 16
17. 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR Quá trình ngắt GTO địi hỏi sử dụng xung dịng o kích đủ rộng. Điều này dẫn đến thời gian ngắt dài, IGCT (Integrated GateCommutated Thyristor) khả năng di/dt và dv/dt của GTO thấp. Vì thế, cần • Sự cải tiến cơng nghệ chế tạo GTO thyristor đã phải giới hạn các trị số hoạt động khơng vượt quá dẫn đến phát minh cơng nghệ IGCT. giá trị an tồn trong quá trình ngắt GTO • GCT (Gate Commutated Thyristor) là một dạng phát triển của GTO với khả năng kéo xung dịng điện lớn bằng dịng định mức dẫn qua cathode về mạch cổng trong GCT để đảm bảo ngắt nhanh dịng điện. Cấu trúc của GCT và mạch tương đương của nĩ giống như của GTO. • IGCT là linh kiện gồm GCT và cĩ thêm một số phần tử hỗ trợ, bao gồm cả board mạch điều khiển và cĩ thể gồm cả diode ngược. 11:33AM 56 56 11:33AM 66 66 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR o Đặc tuyến của IGCT IGCT cĩ thể tích hợp diode ngược bằng mối nối Quá trình ngắt dịng n+np được vẽ trên hình. Diode ngược cần thiết điện của IGCT bởi trong cấu tạo của các bộ nghịch lưu áp. tác dụng xung dịng kích cổng được vẽ A minh họa trên hình. Để cĩ thể so sánh với quá trình ngắt dịng của GTO, đồ G thị của dịng cổng G KK được vẽ cho hai trường hợp. 11:33AM 76 76 11:33AM 86 86 17
18. 5.MST STLINHKI NKHÁC 5.MST STLINHKI NKHÁC o UJT (Unijunction Transistor) o UJT (Unijuncton Transistor) Cựcnền B Khi cp đin 2 UJT cịn gọi là Khi chưa cp đin B N 2 B transistor đơn nối. Cực 2 B2 R phát P Tiếpxúc Cĩ cơng suất thấp D B2 D RB2 E E PN E nên chỉ xếp vào loại F VBB E F B linh kiện điều khiển V RB1 1 R EE cơng suất. B1 Cựcnền B1 B1 B1 Cu to – Ký hiu R V = B1 V =ηV RBB = RB1 + RB2 F BB BB RB1 + RB2 11:33AM 96 96 11:33AM 07 07 5.MST STLINHKI NKHÁC 5.MST STLINHKI NKHÁC o UJT (Unijuncton Transistor) o UJT (Unijuncton Transistor) V ðc tuyn UJT Phân cc UJT 1 V 1 R2 VE V1 Vùng R2 Vùngdẫn Vùngbãohịa R ngưng V 2 P VE VBB =15v E VBB =10v E VBB =5v R1 R1 V =0v Vv BB IE I P Iv IEbh 10 A 2,5mA 50mA Mch dao đng thư giãn 11:33AM 17 17 11:33AM 27 27 18
19. 5.MST STLINHKI NKHÁC 5.MST STLINHKI NKHÁC o PUT (Programmable Unijunction Transistor) o PUT (Programmable Unijunction Transistor) Phân cc PUT A Khi V V :mốinốiAG K RB2 AK P I N cĩ đặc tính thay đổi G bắtđầudẫn G R P G N G được. Tuy vậy về cấu R A B1 RTH V K tạo, PUT khác hẳn UJT BB Cu to và ký hiu R và cách hoạt động cũng η = B1 K R + R B2 B1 RB1RB2 RTH = RB1 // RB2 = khác VG = ηVBB RB1 + RB2 11:33AM 37 37 11:33AM 47 47 5.MST STLINHKI NKHÁC 5.MST STLINHKI NKHÁC o PUT (Programmable Unijunction Transistor) o SCS (Silicon Controlled Switch) Mch dao đng thư giãn Cu to – mch tương đương – ký hiu VA GA VP J J J 1 2 3 GA K V A K GK BB n1 n2 K VV p n p n t 1 2 T 1 2 T 2 R V p 1 p R G 1 2 B2 ηVBB A G A A GK Xả RB1 GK t C V K SCS cịn được gọi là Tetrode thyristor (thyristor cĩ 4 cực) t 11:33AM 57 57 11:33AM 67 67 19
20. 5.MST STLINHKI NKHÁC 5.MST STLINHKI NKHÁC o SCS (Silicon Controlled Switch) o DIAC (Diode AC) • SCS dẫn ở điện thế dương cấp cho anod A2 Cu to – ký hiu A A2 A2 2 N1 P và cho xung dương vào GK. 1 • SCS đang dẫn, muốn làm tắt hoặc cho N2 xung âm vào GK, hoặc cho xung dương P A 2 1 A N3 1 A1 vào GA. A1 • SCS hoạt động cĩ: I =0,2A; V =100V. A RM DIAC giống hai SCR khơng cĩ cực cổng hay • SCS ứng dụng trong điều khiển cơng đúng hơn là một transistor khơng cĩ cực nền suất nhỏ, dao động thư giãn. 11:33AM 77 77 11:33AM 87 87 5.MST STLINHKI NKHÁC 5.MST STLINHKI NKHÁC o DIAC (Diode AC) o DIAC (Diode AC) I • Cách hoạt động như gồm cĩ 2 SCR A Đặc tuyến DIAC (n1p1n2p2 và n3p2n2p1) nhưng khơng cĩ cổng kích G I V BR • VBR =28V ÷ 40V BR I BR VBR VA1A2 • IBR =I H =vài trăm A • DIACtương đương với hai DiodeZener mắc đối đầu 11:33AM 97 97 11:33AM 08 08 20
21. 5.MST STLINHKI NKHÁC 5.MST STLINHKI NKHÁC o Diode Shockley o Diode Shockley + A ðc tuyn V/A Diode shockley đặc tuyến Cu to – ký hiu IA IA giống như SCR lúc dịng J J J 1 2 3 + K cổng I =0V A p p Vf G 1 n1 2 n2 _ Khi điện thế I BO anodcatod tới trị Diode shockley gồm cĩ 4 lớp bán _ K VAK số V thì diode VBO BO dẫn PNPN (diode 4 lớp) nhưng chỉ shockley bắt đầu cĩ hai cực dẫn 11:33AM 18 18 11:33AM 28 28 6.T NGK TT 6.T NGK TT
    Khả năng hoạt động của các linh kiện bán dẫn cơng suất được so sánh theo cơng suất mang tải oThống kê và tốc độ đĩng ngắt được minh họa ở hình dựa số liệu tra theo số liệu tra cứu năm 19981999 của hãng cứu năm EUPEC. 19981999
    Linh kiện GTO cơng suất lớn được sản xuất với của hãng khả năng chịu được điện áp/dịng điện từ 2,5 EUPEC. 6kV/16kA. GTO cịn được chế tạo chứa diode ngược với tổn hao thấp, khả năng chịu điện áp/dịng điện của nĩ đạt đến 4,5kV/3kA. 11:33AM 38 38 11:33AM 48 48 21
22. 6.T NGK TT 6.T NGK TT
    Linh kiện IGCT đươc chế tạo gần đây cĩ khả
    Các thyristor cho nhu cầu thơng thường đươc năng chịu được điện áp/ dịng điện 6kV/6kA với chế tạo với khả năng chịu được điện áp thay đổi khả năng chuyển mạch gần như tồn bộ dịng từ 400V đến 12kV và dịng điện từ 1000A đến điện sang mạch cổng khi kích ngắt. 5kA. Đối với nhu cầu đĩng ngắt nhanh, khả năng
    Các diode cho nhu cầu thơng thường đươc chế dịng đạt đến 8001.500A và điện áp 1.200 tạo với khả năng chịu được điện áp thay đổi từ 2.500V. 500V đến 4kV và dịng điện từ 60A đến 3,5kA. Đối
    Các linh kiện IGBT dạng modul được chế tạo với với nhu cầu đĩng ngắt nhanh khả năng dịng đạt khả năng chịu được điện áp/ dịng điện 1,7 đến 8001.700A và điện áp 2.8006.000V. 3,3kV/4001.200A. 11:33AM 58 58 11:33AM 68 68 KT THÚC CHƯƠNG II CHNHLƯUMT PHA 11:33AM 78 78 22