Dụng cụ bán dẫn - Chương 6: FET (Field Effect Transistor) - Transistor hiệu ứng trường (Phần 1)

Nội dung text: Dụng cụ bán dẫn - Chương 6: FET (Field Effect Transistor) - Transistor hiệu ứng trường (Phần 1)

1. ĐHBK Tp HCM-Khoa Đ-ĐT BMĐT GVPT: Hồ Trung Mỹ Môn học: Dụng cụ bán dẫn Chương 6 FET (Field Effect Transistor) Transistor hiệu ứng trường 1
2. Nội dung • Giới thiệu • Cấu tạo và nguyên tắc hoạt động • Đặc tuyến I-V • Các hiệu ứng thứ cấp • Mô hình tín hiệu nhỏ - mạch tương đương tín hiệu nhỏ • Mô hình tín hiệu nhỏ ở tần số cao • Các ứng dụng của JFET: KĐ, KĐ chopper, khóa analog, nguồn dòng 2
3. 6.1 Giới thiệu 3
4. Diode Transistor BJT FET 4
5. History of FET 5
6. Other milestones in transistor development: 6
7. Shockley’s model of a junction FET 7
8. JFET = PN junction FET TD: JFET kênh N 8
9. MESFET = Metal-semiconductor FET = Schottky gate FET TD: MESFET kênh N 9
10. Giới thiệu • FET (Field Effect Transistor=transistor hiệu ứng trường) cũng là một trong các dụng cụ điện tử quan trọng nhất trong công nghệ bán dẫn hiện đại. • Như chúng ta đã xét ở chương BJT thì chúng ta đã thấy những thuận lợi và bất lợi của BJT, BJT là dụng cụ lưỡng cực. FET là dụng cụ đơn cực (unipolar), dòng điện tạo bởi điện tử hoặc lỗ. FET điều khiển dòng điện chảy trong kênh bằng cách giới hạn hay mở kênh dẫn (xem hình 1). Việc này được thực hiện bằng cách đưa điện áp phân cực vào cực điều khiển được gọi là cổng. • Do FET là dụng cụ đơn cực nên nó có thể làm việc với các tốc độ cao vì sự tái hợp điện tử-lỗ không giới hạn dụng cụ. Bằng cách sử dụng vật liệu “nhanh hơn”, tốc độ của dụng cụ trở nên rất nhanh, làm cho FET được chọn trong nhiều ứng dụng số và vi ba. 14
11. Hình 6.1. Nguyên tắc vật lý của FET dựa trên việc sử dụng cổng để thay đổi điện tích trong kênh bằng cách làm hẹp kênh dẫn. Điện thế ở cổng thay đổi dẫn đến dòng điện qua kênh thay đổi 15
12. • Khái niệm về FET thì hoàn toàn đơn giản và được minh họa trong hình 6.1. • Dụng cụ gồm có một kênh dẫn tích cực mà các điện tử chạy trong kênh này từ nguồn S (source) đến máng D (drain). • Các tiếp điểm ở nguồn và máng là các tiếp điểm Ohm. • Độ rộng của kênh bị điều chế bởi điện thế đưa vào cổng G (gate). • Sự điều chế độ rộng kênh dẫn đến điều chế dòng điện đi qua kênh này. • Điểm quan trọng trong quá trình này là cách ly cổng với dòng điện chảy qua kênh. Nếu cổng không được cách ly tốt với kênh dẫn thì nó kéo nhiều dòng điện và dẫn đến dụng cụ có độ lợi kém (nghĩa là tỉ lệ của công suất ra (hoặc dòng điện) với công suất vào (hoặc dòng điện)). 16
13. Sự cách ly cổng với kênh dẫn Sự cách ly cổng được thực hiện bằng nhiều cách, dẫn đến có nhiều dụng cụ khác nhau: – Trong MOSFET cổng được cách ly với kênh dẫn bằng oxide. – Trong FET kim loại-bán dẫn (MESFET) thì cổng tạo thành rào Schottky với bán dẫn và dòng điện cổng nhỏ trong tầm điện áp hữu dụng ở cổng. – Trong FET được pha điều chế (MODFET), cổng cũng tạo rào Schottky, và người ta sử dụng các khái niệm cấu trúc dị thể (hay không đồng nhất ) (hesterostructure) để giảm tán xạ tạp chất ion hóa. – Trong FET tiếp xúc (JFET), người ta sử dụng tiếp xúc P-N được phân cực ngược để cách ly cổng. 17
14. Phân loại FET • Tổng quát, chúng ta có thể chia FET làm 2 nhóm chính: 1. Các dụng cụ mà sự cách ly cổng đạt được bằng cách sử dụng chất cách điện giữa cổng và kênh tích cực mà ở đó có dòng điện tử chạy qua. Nếu khe năng lượng của chất cách điện lớn thì các điện tử có thể bị “cảm ứng” vào kênh dẫn không cần phải pha tạp chất. 2. Các dụng cụ trong đó cách ly cổng đạt được bằng cách sử dụng rào thế Schottky. Ở đây các chất kích tạp (dopants) được dùng để cung cấp các hạt dẫn tự do và cổng dùng để thay đổi sự dẫn điện của kênh bằng cách thay đổi bề rộng miền nghèo. • Các FET dựa trên Si sử dụng khái niệm MOSFET trong khi đó phần lớn các bán dẫn hợp chất III-V dựa trên các khái niệm MESFET hoặc MODFET. Trong chương này chúng ta chủ yếu sẽ xét JFET và chương kế sẽ khảo sát MOSFET 18
15. 6.2 Cấu tạo và nguyên tắc hoạt động của JFET 19
16. Cấu tạo của JFET kênh N • FET đơn giản nhất là FET tiếp xúc hay JFET. Hình 6.2 cho ta thấy cấu trúc JFET đơn giản. Dụng cụ gồm một lớp mỏng bán dẫn loại N có pha thêm các tạp chất để tạo các lớp P+ ở hai bên. Miền ở giữa 2 miền p+ được gọi là kênh, và các điện tử có thể chạy trong kênh này ở giữa 2 tiếp xúc thuần trở gọi là cực nguồn S (source) và cực máng D (drain). Hình 6.2 cho ta thấy dụng cụ có pha 2 bên, mặc dù thông thường các dụng cụ chỉ có một cổng và bề rộng kênh là h. • Cực nguồn S được đặt phân cực âm hơn so với máng D để các điện tử chạy từ nguồn đến máng. Các miền p+ tạo thành cực cổng G của dụng cụ và phân cực âm được áp đặt vào chúng. Phân cực ngược này trên các tiếp xúc p+-n làm cho tăng thêm bề rộng miền nghèo bên n. Khi các điện tử đi qua miền n thì bề rộng hiệu dụng của kênh dẫn co lại. Kết quả là tính dẫn điện của kênh dẫn bị điều khiển bởi phân cực tại cực cổng. 20
17. Hình 6.2 (1/2) 21
18. Hình 6.2 (2/2) (c) Ký hiệu cho JFET kênh N và kênh P (d) Cấu trúc cơ bản của mô hình 1 cổng 22
19. Hoạt động – Hiệu ứng của VGS Hình 6.3 (a) JFET với phân cực cổng bằng không để kênh dẫn mở lớn. Dụng cụ như vậy được gọi là dụng cụ chế độ nghèo (khi hoạt động làm tăng miền nghèo); (b) Dụng cụ với phân cực cổng âm cho thấy sự giảm độ mở của kênh và giảm dòng điện; (c) Phân cực cổng âm lớn làm kênh dẫn bị nghẹt và dòng điện trong kênh dẫn là không (khi đó VGS = VGS(OFF) < 0). 23
20. • Để hiểu hoạt động của JFET (cũng tương tự cho MESFET) ta hãy xét các trường hợp ở hình 6.3. Trong hình 6.3a ta thấy JFET với phân cực nguồn-máng VD nhỏ và không có phân cực cổng. Khi phân cực cổng được tăng và diode p+-n bị phân cực ngược, dòng điện qua kênh dẫn giảm cho đến khi kênh dẫn bị “thắt” hay “nghẽn” hay “ngẹt” (pinch off) và không có hạt dẫn tự do trong kênh dẫn. • Bây giờ, ta xét trường hợp phân cực cổng cố định và tăng phân cực máng như trong hình 6.4. Khi phân cực máng trở nên càng lúc càng dương hơn thì tiếp xúc p+-n gần cực máng trở nên bị phân cực nhiều hơn. Kết quả là kênh dẫn bị thắt ở gần cực máng. Ở điểm này dòng điện không thể tăng thêm được, ngay cả khi điện áp cực máng được tăng. Miền này được gọi là miền bão hòa. Một khi dụng cụ đạt đến bão hòa, dòng điện trong kênh dẫn giữ không đổi. 24
21. Hoạt động – Hiệu ứng của VDS Hình 6.4 Hiệu ứng của tăng phân cực máng với phân cực cổng cố định: (a) phân cực máng nhỏ; (b) tăng phân cực máng và kênh bị hạn chế nhiều hơn ở gần cực máng; (c) tăng phân cực ở cực máng đến điểm mà kênh bị thắt ở bên cực máng, dòng điện máng bão hòa. 25
22. Hình 6.5 26
23. Đặc tuyến I-V của N-JFET (TD với VTH= –3V) Quỹ tích các điểm bắt đầu bão hòa (nghẹt) Miền tuyến tính Miền bão hòa Miền cắt VGS VTH = -3V Vp = 3V 27
24. Tính toán ID và VD của JFET Gate P+ Source Drain N 2h L P+ Cấu tạo của JFET kênh N Với: • 2h: độ rộng kênh dẫn khi chưa phân cực • L: chiều dài kênh dẫn • W: chiều dài bề ngang của kênh dẫn 28
25. Tính điện áp ngưỡng VTH (1/2) • Trong các phần phân tích và tính toán sau, giả sử ta lấy điện thế tại S làm điện thế đất (VS=0). • Nếu cực máng D được phân cực với giá trị dương nhỏ (VD>0) trong khi điện thế tại cổng VG=0, khi đó có dòng điện chạy từ nguồn S đến máng D với giá trị là 2(h x ) W I q Nn  V D n DL D với q là điện tích điện tử, µn là độ linh động của điện tử, ND là nồng độ Donor trong bán dẫn N và 2(h–xn)W là tiết diện ngang • Ta đã biết bề rộng miền nghèo bên N với chuyển tiếp P+N có trị xấp xĩ bằng bề rộng miền nghèo: 2 S NNAD x V với VVbi T ln n bi n2 qND i + với NA là nồng độ acceptor trong các miền P và ND là nồng độ donor trong các miền N . 29
26. Tính điện áp ngưỡng VTH (2/2) • Nếu bây giờ ta áp đặt điện thế âm vào cực cổng (VG 0 với JFET kênh P. 30
27. Mô hình tính điện áp ngưỡng (VD 0) xn 2h 31
28. Mô hình tính dòng điện máng ID Xn(y) 32
29. Tính dòng điện máng ID • Xét N-JFET với VG > VTH và VD >0 • Theo định luật Ohm, ta có: ID dV()() y dV y Jy  E y  q  n N D 2(h xn ( y )) W dy dy • Suy ra: ID dy 2( h x n ( y )) Wq n N D dV ( y ) VD L 2q NW ( hxydVy ( )) ( ) Idy IL n D n D D VS 0 • Như vậy dòng điện máng là 2q N Wh 2 2  3/2 3/2  IVVVVVV n D S D D2 D bi G bi G  L 3 qND h  2 2 3/2 3/2  I g V S V V V V V D0 D2 D bi G bi G  3 qND h  2q N Wh với g n D 0 L 33
30. Điện áp máng bão hòa VDsat và điện áp nghẹt VP • Chú ý là xn(y=L) > xn(y=0) vì V(y=L)=VD > V(y=0)=VS=0. Do đó khi tăng VD thêm nữa thì sẽ dẫn đến trường hợp 2 miền nghèo sẽ chạm nhau tại vị trí y = L. Giá trị VD lúc này được gọi là điện áp máng bão hòa VDsat. Khi đó người ta gọi kênh dẫn bị nghẹt (hay nghẽn [pinch- off]). 2 2 S S h V V V xn y L V bi V G V y L bi G Dsat qND qND • Suy ra: 2 qND h VVVVVDsat bi G G TH 2 S • Hiệu điện thế VD–VG làm cho kênh bắt đầu nghẽn được gọi là điện áp nghẹt (hay nghẽn) Vp (khi đó xn(y=L)=h). Lúc kênh dẫn bắt đầu nghẹt thì dòng ID giữ không đổi và VD=VDsat = VG–VTH. Như vậy điện áp nghẹt Vp = VDsat – VG = –VTH Giá trị tiêu biểu của Vp là 2 đến 4 V. 34
31. Dòng điện máng bão hòa IDsat • Thay giá trị VD=VDsat vào biểu thức của ID ta tìm được dòng điện máng bão hòa IDsat 2  qND h 2 2 S 3/2 IDsat g0 V bi V G 2 V bi V G  6 SD 3 qN h  35
32. Phương trình xấp xỉ cho ID trong miền tuyến tính • Trong miền tuyến tính VD<<VG và VD<<Vbi, từ phương trình ID 2 2 3/2 3/2  I g V S V V V V V D0 D2 D bi G bi G  3 qND h  2q N Wh với g n D 0 L n • Nếu đặt X=VD/(Vbi-VG) và áp dụng (1+X) 1+nX với X<<1 thì ta có phương trình sau: 2 VV qND h bi G với điện thế nghẹt nội V IDD g0 1 V po V 2 S po • Phương trình có thể được đơn giản hóa hơn nữa bằng khai triển Taylor quanh điểm VG = VTH g 0 khi V V IVVVD G TH D G TH 2Vpo 36
33. Phương trình xấp xỉ cho ID trong miền bão hòa • Miền bão hòa bắt đầu từ VD = VDsat = VG –VTH , từ phương trình ID 2  qND h 2 2 S 3/2 IDsat g0 V bi V G 2 V bi V G  6 SD 3 qN h  2 Vpo 2 VVbi G qND h I g V V 1 với Vpo Dsat0 3 bi G 3 V 2 po S • Phương trình có thể được đơn giản hóa hơn nữa bằng khai triển Taylor quanh điểm VG = VTH g0 2 khi VG VTH IVVDsat G TH 4Vp0 và khi đó hỗ dẫn có trị g dID 0 khi V V gm V G V TH G TH dVGS2 V p0 37
34. Các ký hiệu sơ đồ JFET Kênh N Kênh P 38
35. So sánh JFET và BJT 39
36. 6.3 Đặc tuyến dòng áp của JFET 40
37. Đặc tuyến tổng quát của JFET kênh N (N-JFET) IDSS VG = 0V VG = VTH 0 với P-JFET o VTH=VGS,off=điện áp làm tắt JFET= -Vp (khi đó ID=0) o VDS,sat=VGS–VGS,off= VDS khi JFET bắt đầu nghẹt (vào miền bão hòa). 41
38. Tóm tắt phương trình ID trong N-JFET tại các miền hoạt động • VGS VTH : miền tắt ID=0 • VGS > VTH : o VDS < VDS,sat : miền tuyến tính (còn gọi là miền Ohm, điện trở, hay triode) 2 VVVGS DS DS IID DSS 2 1 VVV TH TH TH 2 2IVDSS DS IVVVD 2 GS TH DS VTH 2 VVV 2 Nếu DS GS TH thì ID là hàm tuyến tính theo VDS: (có thể hoán đổi D và S): 2I DSS IVVVD 2 GS TH DS VTH Khi đó JFET tương đương với điện trở RDS (còn gọi là điện trở ON hay RDS,ON): 2 VTH RDS 2IVVDSS GS TH oVDS VDS,sat : miền bão hòa (còn gọi là miền tích cực) 2 IVDSS2 GS IVVID 2 GS TH DSS 1 VVTH TH 42
39. Mạch đo đặc tuyến JFET kênh N Dale R. Patrick Copyright ©2002 by Pearson Education, Inc. Electricity and Electronics: A Survey, 5e Upper Saddle River, New Jersey 0745843 All rights reserved.
40. Đặc tuyến ra của JFET 44
41. Đặc tuyến truyền đạt – similar shape for all forms of FET – but with a different offset – not a linear response, but over a small region might be considered to approximate a linear response 45
42. Dải làm việc bình thường của FET 46
43. Hổ dẫn gm • When operating about its operating point we can describe the transfer characteristic by the change in output that is caused by a certain change in the input – this corresponds to the slope of the earlier curves – this quantity has units of current/voltage, which is the reciprocal of resistance (this is conductance) – since this quantity described the transfer characteristics it is called the transconductance, gm Note: ID ID gm gm VGS VGS 47
44. TD: Xét đặc tuyến thật của N-JFET 2N4339 48
45. Đặc tuyến ra của N-JFET 2N4339 (a) Đặc tuyến ra (b) Miền triode 49
46. Đặc tuyến truyền đạt của N-JFET 2N4339 50
47. Vẽ đặc tuyến truyền đạt từ đặc tuyến ra VTH JFET Transfer Characteristic Curve JFET Characteristic Curve 51
48. Tóm tắt đặc tuyến I-V của N-JFET N-JFET vDS=vGS-VTH Miền tắt: vGS VTH V Miền làm việc: TH VTH VTH 0 Đặc tuyến truyền đạt Đặc tuyến ra Với v v –V và v –V > 0 Với vDS 0 DS GS TH GS TH Miền I (miền tuyến tính) Miền II (miền bão hòa) 2 2 2IVDSS DS VGS IVVVD 2 GS TH DS II 1 V 2 D DSS TH VTH 52
49. Tóm tắt đặc tuyến I-V của P-JFET P-JFET VTH VTH Miền tắt: vGS VTH Miền làm việc: v =v -V VTH > vGS 0, vDS vGS–VTH và vGS –VTH < 0 Với vDS vGS–VTH và vGS –VTH < 0 Miền I (miền tuyến tính) Miền II (miền bão hòa) 2 2 2IVDSS DS VGS IVVVD 2 GS TH DS II 1 V 2 D DSS TH VTH 53
50. Miền làm việc an toàn của N-JFET 1. PD, max : công suất tiêu tán cho phép tối đa. vDS iD< PD, max 2. VDS, max : điện áp đánh thủng ngược vDS < VDS, max 3. ID, max: dòng máng tối đa iD < ID, max 54
51. Transistors as Amplifiers and Switches • Use the I-V characteristic curves of BJT and MOSFET • Use the regions of operation of these transistors – BJT • Cutoff Region Switch operation • Active Linear Region Amplifier operation • Saturation Region – JFET/MOSFET • Cutoff Region Switch operation • Ohmic or Triode Region • Saturation (Active Region) Amplifier operation 55
52. TD 1: Tìm miền hoạt động của JFET • N-JFET có IDSS = 10mA và VTH = -5V. Hãy cho biết miền hoạt động của JFET này nếu người ta đo được các điện thế tại D, G và S so với đất trong các trường hợp sau: a) VD=5V, VG=3V, và VS=4V. b) VD=4V, VG=2V, và VS=7V. c) VD=6V, VG=1V, và VS=5V. • Bài giải. Với N-JFET ta phải xét các điện áp sau: o VGS VTH : miền tắt ID=0 o VGS > VTH : (VDSsat = VGS – VTH)  VDS < VDS,sat : miền tuyến tính  VDS VDS,sat : miền bão hòa TH VD VG VS VGS VDSsat VDS Miền hoạt động a 5V 3V 4V -1V 4V 1V Tuyến tính b 4V 2V 7V -5V Tắt c 6V 1V 5V -4V 1V 1V Bão hòa 56
53. TD 2: Tìm điểm tĩnh Q của N-JFET (1/2) Mạch tự phân cực • N-JFET trong hình có IDSS=5mA và VTH = -3V. Mạch này có VDD=15V, RD=5K, RG=1M, và RS=1K. Hãy tìm IDQ và VGSQ? • Bài giải. Vì dòng cổng bằng không (do phân cực ngược cổng và kênh dẫn): VGS = –RSID (1) Giả sử N-JFET ở chế độ bão hòa (VGS>VTH=–3V và VDS VDS,sat=VGS–VTH), nếu sau khi tính xong mà giả thiết này không thỏa thì ta phải chọn giả thiết khác! 2 V GS (2) IID DSS 1 VTH D G Mạch tự phân cực S 57
54. TD 2: Tìm điểm tĩnh Q của N-JFET (2/2) Mạch tự phân cực Kết hợp phương trình (1) và (2) ta có phương trình bậc 2 theo ID hoặc theo VGS. Nếu chọn biến là ID là có phương trình sau: 2 2 2 2 RS IDSSID + ( 2RSIDSSVp –Vp ) ID + IDSSVP =0 Giải phương trình trên tìm được 2 nghiệm: ID 6.392mA (loại vì > IDSS), và ID 1.408mA (nhận vì 0 VTH Kiểm chứng lại giả thiết: VDS = VDD – ID(RD + RS) = 15 – 1.408mA (5K + 1K)= 6.552V VDS = 6.552V > VDSsat = VGS–VTH= 1.592V Như vậy nghiệm là IDQ = 1.408mA và VGSQ = –1.408V 58
55. TD 3: Tìm điểm tĩnh Q của N-JFET (1/2) Mạch phân cực bằng cầu chia áp Sau khi biến đổi tương đương Thévenin cho mạch phân cực cổng với VG=VDDR2/(R1+R2) = V1 và RG=R1//R2 Vì dòng cổng bằng không, ta có D VGS = VG - VS = V1 - IDRS Sau đó thay VGS vào phương trình ID G ở miền bão hòa để tìm ID và VGS. S 59
56. • MESFET là một lớp transistor quan trọng được sử dụng nhiều trong các ứng dụng xử lý tín hiệu tốc độ cao cũng như các mạch vi ba. Dụng cụ này có thể được chế tạo tin cậy bằng các bán dẫn GaAs và InP. • MESFET sử dụng rào kim loại Schottky để điều chế điện tích tự do trong kênh dẫn bằng cách thay đổi bề rộng miền nghèo trong kênh dẫn. • MESFET là dụng cụ được chế tạo tương đối đơn giản và có cấu hình như chỉ ở hình 6.6. Các vật liệu thông dụng cho MESFET là GaAs và InP. Vật liệu đế cho MESFET GaAs là GaAs nửa cách điện có điện trở cao mà được chế tạo bằng cách đưa vào một cách cẩn thận các tạp chất mà có các mức năng lượng gần dãi giửa của GaAs. 60
57. Hình 6.6. Sơ đồ MESFET GaAs 61
58. (a) Khi không có phân cực nguồn-máng, bề rộng miền nghèo đều và bị điều khiển bởi phân cực cổng. (b) Khi có phân cực nguồn- máng, bề rộng miền nghèo nhiều hơn về phía cực máng. Hình 6.7. Sơ đồ của MESFET cho thấy bề rộng miền nghèo ở dưới cực cổng 62
59. • Các tiếp xúc ở nguồn và máng là các tiếp xúc thuần trở và cổng được tạo thành bởi rào Schottky. Hoạt động của dụng cụ này tuân theo lý thuyết vận chuyển hơi phức tạp đặc biệt trong các vật liệu như GaAs mà ở đó các quan hệ vận tốc-trường hoàn toàn phức tạp. Chúng ta sẽ xét một mô hình được đơn giản hóa nhằm minh họa hoạt động của MESFET. Trước khi giới thiệu các tính toán mô hình, chúng ta hãy xem lại tính chất vật lý trong hoạt động của dụng cụ. • Trong hình 6.7 cho ta thấy mặt cắt ngang của MESFET cùng với bề rộng miền nghèo ở dưới cực cổng. Khi không có phân cực nguồn-máng, bề rộng miền nghèo đều như ở hình 6.7a. Nếu phân cực cổng được làm cho âm hơn, bề rộng miền nghèo trãi rộng thêm vào miền tích cực cho đến khi kênh dẫn bị làm nghèo hoàn toàn. Như vậy khi ta tăng phân cực cổng (tới các giá trị âm), toàn bộ điện tích khả dụng cho sự dẫn điện giảm dần cho đến khi kênh dẫn bị nghẽn. Sự điều khiển cổng này tương tự với điều khiển ở JFET như ở hình 6.3. Nếu phân cực ở cực máng được tăng thì miền nghèo trở nên lớn hơn về phía cực máng như ở hình 6.7b. 63
60. • Nếu phân cực cổng cố định và điện áp máng được tăng đến các giá trị dương, dòng điện bắt đầu chạy vào kênh dẫn. Ban đầu dụng cụ hoạt động như một điện trở. Tuy nhiên, khi điện áp máng được tăng, bề rộng miền nghèo hướng đến cực máng bắt đầu tăng vì hiệu điện thế giữa cực cổng và cực máng tăng. Rồi kênh dẫn bắt đầu nghẽn ở cực máng. Khi điều này xảy ra, dòng điện bắt đầu bão hòa. Cuối cùng ở các giá trị phân cực máng rất lớn, dụng cụ “đánh thủng” và dòng điện tăng nhanh. • Giải tích đầy đủ dòng điện thì hơi phức tạp, ngay cả trong bài tóan 1 chiều bởi vì người ta cần giải các phương trình liên tục và Poisson. Chúng ta đơn thuần sẽ xét mô hình mà cho hình ảnh nửa định lượng. 64
61. Giả thiết cho mô hình toán (1/2) Ta có các giả thiết cho mô hình của chúng ta: • Độ linh động của các điện tử là hằng số và độc lập với điện trường. Ta biết rằng điều này chỉ đúng ở các điện trường thấp. Ở các điện trường cao, vận tốc của các điện tử bão hòa, và trong trường hợp các vật liệu như GaAs, có miền điện trở âm. Do đó, sự giải tích chỉ hợp lý nếu trường trong kênh ( xấp xỉ bằng phân cực máng chia cho chiều dài kênh dẫn) nhỏ hơn 2- 3KV/cm. Vì đây là điều không đúng với các dụng cụ hiện đại, do đó giải tích chỉ nửa định lượng và giúp hiểu hoạt động của dụng cụ. • Chúng ta giả sử xấp xỉ kênh biến đổi đều được giới thiệu bởi Shockley. Khi không có bất cứ phân cực nguồn-máng, bề rộng miền nghèo được cho bởi mô hình 1 chiều như với diode p-n. Tuy nhiên, chặt chẽ hơn khi có phân cực nguồn-máng, người ta phải giải bài tóan 2 chiều để tìm bề rộng miền nghèo và tiếp theo là dòng điện. Trong xấp xỉ kênh biến đổi đều, ta giả sử rằng trường theo hướng từ cực cổng đến miền đế mạnh hơn nhiều trường từ nguồn đến máng., nghĩa là điện thế thay đổi “chậm” dọc theo kênh dẫn khi so với sự biến đổi điện thế theo hướng từ cực cổng đến miền đế. Như vậy bề rộng miền nghèo ở điểm x dọc theo kênh dẫn được cho bởi điện thế ở điểm mà dùng các kết quả mô hình 1 chiều đơn giản. Sự xấp xỉ này đúng nếu chiều dài cổng L lớn hơn độ sâu kênh h. 65
62. Giả thiết cho mô hình toán (2/2) Xấp xỉ miền nghèo, nghĩa là ta giả sử rằng không có hạt dẫn trong miền nghèo, và bên ngoài miền nghèo mật độ hạt dẫn bằng mật độ donor được ion hóa. Ta sẽ giả sử là ion hóa hoàn toàn các donor và pha tạp chất đều trong kênh dẫn. Một khi dụng cụ đạt đến miền bão hòa, sự xấp xỉ này bị phá vỡ. Ta sẽ bàn chi tiết hơn về chế độ bão hòa ở phần sau. 66
63. Tính dòng điện máng ID 67
64. Đặc tuyến I-V tiêu biểu của MESFET kênh N Quỹ tích của VDSsat Miền Miền bão hòa tuyến Miền tính đánh thủng Chế độ giàu Chế độ nghèo 71
65. 6.4 Các hiệu ứng thứ cấp • Điều chế chiều dài kênh dẫn • Đánh thủng • Sự thay đổi trong độ linh động • Ảnh hưởng của nhiệt độ 72
66. Điều chế chiều dài kênh dẫn • Xét N-JFET ở miền bão hòa, nếu tăng VDS thì ID sẽ tăng, vì khi tăng VDS dẫn đến L giảm (chiều dài hiệu dụng của kênh dẫn N) điện trở kênh dẫn giảm hay ID tăng. Hiệu ứng này tương tự với điều chế miền nền trong BJT. Do đó tất cả các đặc tuyến ở miền bão hòa khi kéo dài ra đến trục hoành thì đều giao nhau cùng 1 điểm trên trục hoành, ứng với điện áp Early VA (VDS=-VA). VA thực tế có trị từ 30V đến 200V. Dòng ID phụ thuộc vào VDS và có dạng 2 VVGS DS IID DSS 1 1 VVTH A • Như vậy tại điểm tỉnh Q trong miền bão hòa thì JFET có điện trở ra là: VV A DSQ VA r0 IIDQ DQ 73
67. Đánh thủng Đánh thủng thác lũ xảy ra trong JFET khi phân cực ngược tại chuyển tiếp cổng- kênh dẫn (chỗ đầu cực máng của kênh) bằng điện áp đánh thủng của chuyển tiếp, BV = BVDG0 – VGS BV=BVDG0 – VGS (TD này có V =0) Đánh thủng cố định S VBR = VD - VG BVDG0 74
68. Sự thay đổi trong độ linh động • Khi điện trường có giá trị lớn thì vận trôi không tăng nữa, dẫn đến độ linh động giảm. Trong JFET kênh dẫn ngắn với điện áp ở máng cố định, khi tăng điện trường tại cổng thì làm giảm độ linh động hay làm giảm dòng ID so với giả thiết ban đầu độ linh động là hằng số. 75
69. Ảnh hưởng của nhiệt độ • Nhiệt độ tăng làm độ linh động giảm dòng ID giảm khi nhiệt độ tăng. 76