Dụng cụ bán dẫn - Chương 2: Dải năng lượng và nồng độ hạt dẫn ở cân bằng nhiệt

Nội dung text: Dụng cụ bán dẫn - Chương 2: Dải năng lượng và nồng độ hạt dẫn ở cân bằng nhiệt

1. Chương 2 Dải năng lượng và nồng độ hạt dẫn ở cân bằng nhiệt
2. Nội dung 1. Vật liệu bán dẫn 2. Cấu trúc tinh thể cơ bản 3. Liên kết hĩa trị 4. Dải năng lượng 5. Nồng độ hạt dẫn nội tại 6. Các chất donor và acceptor. 7. Nồng độ hạt dẫn trong bán dẫn loại N và P 2
3. 2.1 Vật liệu bán dẫn 3
4. Control of Conductivity is the Key to Modern Electronic Devices Conductivity, σ, is the ease with which a given material conducts electricity. Ohms Law: V=IR or J=σE where J is current density and E is electric field.  Metals: High conductivity  Insulators: Low Conductivity  Semiconductors: Conductivity can be varied by several orders of magnitude. It is the ability to control conductivity that make semiconductors useful as “current/voltage control elements”. “Current/Voltage control” is the key to switches (digital logic including microprocessors etc ), amplifiers, LEDs, LASERs, photodetectors, etc 4
5. Classifications of Electronic Materials Electrical/Computer engineers like to classify materials based on electrical behavior (insulating, semi-insulating, and metals). Materials Engineers/Scientists classify materials based on bond type (covalent, ionic, metallic, or van der Waals), or structure (crystalline, polycrystalline, amorphous, etc ). In 20-50 years, EE’s may not be using semiconductors at all!! Polymers or bio-electronics may replace them! However the materials science will be the same! 5
6. Material Classifications based on Bonding Method Bonds can be classified as metallic, Ionic, Covalent, and van der Waals. 6
7. Material Classifications based on Bonding Method 7
8. Phân loại vật liệu dựa trên cấu trúc tinh thể Amorphous Materials (Vật liệu vơ định hình) Các nguyên tử khơng cĩ trật tự như cấu trúc tinh thể. TD: SiO2, Si vơ định hình, Si3N4, Mặc dù khơng hồn chỉnh như vật liệu tinh thể, lớp vật liệu này cũng rất hữu dụng. Crystalline Materials (Vật liệu [đơn] tinh thể) Được đặc trưng bởi đối xứng nguyên tử lặp lại trong khơng gian. Dạng của tế bào đơn vị phụ thuộc vào sự liên kết của vật liệu. Các Cấu trúc tế bào đơn vị thơng dụng nhất là kim cương, zincblende (một dẫn xuất của cấu trúc kim cương), hexagonal, và muối đá (lập phương đơn giản). Polycrystalline Materials (Vật liệu đa tinh thể) Gồm nhiều miền vật liệu tinh thể. Mỗi miền được định hướng khác với các miền khác. Tuy nhiên trong mỗi miền, vật liệu là tinh thể. Kích thước mỗi miền cĩ thể vài nm3 đến nhiều cm3. 8
9. Phân loại vật liệu dựa trên cấu trúc tinh thể 9
10. Điện dẫn suất và điện trở suất của chất cách điện, bán dẫn và dẫn điện Điện trở suất Điện dẫn suất Cách điện Bán dẫn Dẫn điện 10
11. Element Semiconductors (Các chất bán dẫn nguyên tố) Bảng phân loại tuần hồn của vật liệu bán dẫn 11
12. Compound Semiconductors (Các chất bán dẫn hỗn hợp) [Hợp chất bán dẫn] Những năm gần đây người ta sử dụng nhiều các chất bán dẫn hỗn hợp trong nhiều loại dụng cụ bán dẫn. Cĩ các chất bán dẫn hỗn hợp từ 2 nguyên tố (nhị hợp), 3 nguyên tố (tam hợp) và 4 nguyên tố (tứ hợp). Nhiều chất bán dẫn cĩ các tính chất điện và quang khác với Silicon. Đặc biệt là GaAs được dùng làm vật liệu chính để chế tạo các dụng cụ trong các ứng dụng quang điện tử và chuyển mạch tốc độ cao 12
13. Các chất bán dẫn nguyên tố và hỗn hợp 13
14. Các chất bán dẫn nguyên tố và hỗn hợp (tt) 14
15. 2.2 Cấu trúc tinh thể cơ bản 15
16. Khái niệm mạng và tế bào đơn vị Ta sẽ nghiên cứu vật liệu bán dẫn đơn tinh thể, mà trong đĩ các nguyên tử được sắp xếp tuần hồn trong khơng gian.Sự sắp xếp tuần hồn của các nguyên tử trong tinh thể được gọi là mạng (lattice). Trong tinh thể, nguyên tử sẽ dao động (do nhiệt) quanh 1 vị trí cố định. Với bán dẫn cho trước, cĩ tế bào đơn vị (unit cell) đại diện cho tồn bộ mạng [tinh thể]; bằng cách lặp lại tế bào đơn vị trong tinh thể ta cĩ tồn bộ mạng tinh thể. 16
17. Tế bào đơn vị Tế bào đơn vị cĩ thể được đặc trưng bằng vector R (được tạo thành từ các vector a, b, c [các vector này khơng nhất thiết phải vuơng gĩc với nhau và chiều dài của chúng cĩ thể bằng hay khơng bằng nhau] và các số nguyên m, n và p) R = ma + nb + pc Các vector a, b, và c được gọi là các hằng số mạng (lattice constants). 17
18. Một số tế bào đơn vị tinh thể lập phương cơ bản Các tế bào đơn vị khác nhau dựa trên các tế bào đơn vị lập phương: tế bảo đơn vị lập phương đơn giản (SC), tế bảo đơn vị lập phương tập trung bên trong (BCC), và tế bảo đơn vị lập phương tập trung bề mặt (FCC) 18
19. Cấu trúc mạng tinh thể kim cương Silicon và germanium cĩ một cấu trúc tinh thể kim cương. Cấu trúc silicon thuộc về lớp những tế bào đơn vị lập phương tập trung bề mặt. Tế bào đơn vị silicon gồm cĩ tám nguyên tử silicon. Cấu trúc cĩ thể được nhìn thấy như hai mạng tinh thể con (bề mặt) thâm nhập nhau với một mạng con được đổi chỗ bởi một mạng con khác bằng ¼ khoảng cách dọc theo đường chéo bên trong khối lập phương Hầu hết những chất bán dẫn III/V tăng trưởng theo mạng tinh thể zincblende, mà đồng nhất với một mạng tinh thể kim cương chỉ cĩ điều một trong số những mạng tinh thể con tế bào lập phương tập trung bề mặt cĩ nguyên tử gallium (Ga) và những nguyên tử arsenic (As) khác. 19
20. Cấu trúc mạng tinh thể kim cương (tt) 20
21. Các mặt phẳng tinh thể và chỉ số Miller Các tính chất tinh thể theo những mặt phẳng khác nhau thì khác nhau và những tính chất điện, nhiệt, và cơ cĩ thể phụ thuộc vào hướng tinh thể. Các chỉ số [Miller] dùng để định nghĩa những mặt phẳng trong tinh thể. Thí dụ: Xác định mặt phẳng tinh thể Mặt phẳng giao với các trục tọa độ tại a, 3a, và 2a. Lấy nghịch đảo của các tọa độ này ta được 1, 1/3 và 1/2. Ba số nguyên nhỏ nhất cĩ các tỉ số 6, 2 và 3. Như vậy mặt phẳng này cĩ thể được xem như mặt phẳng (623). 21
22. Các mặt phẳng tinh thể và chỉ số Miller (tt) Các qui ước định nghĩa chỉ số Miller: (hkl) : một mặt phẳng [hkl] : hướng tinh thể là điểm trong mạng tinh thể gần gốc tọa độ nhất theo hướng mong muốn. {hkl} : họ các mặt phẳng tương đương đối xứng 22
23. Các mặt phẳng tinh thể và chỉ số Miller (tt) Khi cĩ tọa độ âm thì ghi số dương tương ứng và cĩ đường gạch trên con số, thí dụ hướng tinh thể cĩ tọa độ -1,-1,1 thì người ta ghi là . Các chỉ số Miller thường gặp: (a) các mặt phẳng tinh thể, và (b) các vector hướng 23
24. Các mặt phẳng tinh thể và chỉ số Miller (tt) Trong các mạng tinh thể lập phương, hướng [hkl] vuơng gĩc với mặt phẳng (hkl). Thí dụ: họ mặt phẳng {100} là: Thí dụ một số hướng tinh thể 24
25. 2.3 Kỹ thuật tăng trưởng tinh thể cơ bản Tự đọc thêm trong sách 25
26. 2.4 Các liên kết hĩa trị (Valence bonds) 26
27. Liên kết đồng hĩa trị và liên kết ion Trong các dụng cụ bán dẫn cĩ thể gặp các liên kết sau:  Liên kết đồng hĩa trị (covalent bonding)  Liên kết ion (ionic bonding) Trong bán dẫn nguyên tố dùng các liên kết đồng hĩa trị; cịn trong bán dẫn hỗn hợp thì sử dụng cả liên kết đồng hĩa trị và liên kết ion. 27
28. The periodic table 1A 2A 8A Li Be 3A 4A 5A 6A 7A He Na Mg B C N O F Ne K Ca 2B Al Si P S Cl Ar Rb Sr Zn Ga Ge As Se Br Kr Cs Ba Cd In Sn Sb Te I Xe Fr Rd Hg Ti Pb Bi Po At Rn Groups 3B,4B,5B,6B 7B,8B,1B lie in here A section of the periodic table
29. Liên kết ion (Ionic bonding)  Liên kết ion do lực hút tĩnh điện giữa các ion tích điện dương và âm (giữa 1A và 7A).  Quá trình này dẫn đến chuyển điện tử và tạo thành các ion cĩ tích điện; ion tích điện dương do nguyên tử mất điện tử và ion tích điện âm do nguyên tử cĩ thêm điện tử.  Tất cả các hỗn hợp ion là chất rắn đơn tinh thể ở nhiệt độ phịng.  NaCl và CsCl là các thí dụ tiêu biểu cho liên kết ion.  Các tinh thể ion thì cĩ điểm nĩng chảy cao, rắn dịn và cĩ thể hịa tan được trong các chất lỏng thơng thường. 29
30. Ionic bonding The metallic elements have only up to the valence electrons in their outer shell will lose their electrons and become positive ions, whereas electronegative elements tend to acquire additional electrons to complete their octed and become negative ions, or anions. Na Cl 30
31. Ionic bonding This typical curve has a minimum at equilibrium V(R) distance R0 R > R0 ;  the potential increases Repulsive gradually, approaching 0 as R ∞ 0  R the force is attractive 0 R Attractive R < R0; R  the potential increases r very rapidly, approaching ∞ at small radius.  the force is repulsive 31
32. Liên kết đồng hĩa trị (Covalent bonding) • Các chất bán dẫn nguyên tố Si, Ge và kim cương được liên kết bằng cơ chế này và chúng thuần đồng hĩa trị. • Liên kết này là do dùng chung các điện tử.(mỗi cặp điện tử tạo nên liên kết đồng hĩa trị) • Các chất rắn cĩ liên kết đồng hĩa trị thì cĩ điểm nĩng chảy cao, rắn và khơng hịa tan trong các chát lỏng thơng thường. • Các bán dẫn hỗn hợp sử dụng cả các liên kết đồng hĩa trị và liên kết ion. 32
33. Comparison of Ionic and Covalent Bonding 33
34. Thí dụ liên kết đồng hĩa trị với các chất cĩ 4 điện tử hĩa trị 34
35. - Ở nhiệt độ thấp các điện tử được ràng buộc theo mạng tinh thể tứ diện tương ứng. - Khi nhiệt độ cao hơn thì các dao động nhiệt sẽ làm gảy các liên kết đồng hĩa trị. 35
36. 2.5 Các dải năng lượng (Energy bands) 36
37. 2.5.1 Những mức năng lượng của nguyên tử được cách ly Để hiểu những tính chất của những chất bán dẫn, ta cần phải hiểu những tính chất của những nguyên tử tạo thành chúng. Theo mơ hình của Bohr thì nguyên tử gồm cĩ một lõi, mà về cơ bản chứa tồn bộ khối lượng của nguyên tử. Vỏ gần như khơng cĩ khối lượng. Hầu như mọi khối lượng được tập trung trong lõi cĩ đường kính nhỏ 10-15 m , khi đĩ so sánh với đường kính vỏ 10-10 m = 0.1 nm = 1Å (Ångstrom). Lõi gồm cĩ những neutron và những proton. Lõi mang điện tích dương. Vỏ (vỏ điện tử) mang điện tích âm vì cĩ những điện tử trên các quỹ đạo trong vỏ. Nhưng tồn bộ nguyên tử thì khơng cĩ điện tích hay trung hịa điện. Những điện tử như những vệ tinh. Chúng quay xung quanh lõi trên quỹ đạo nhất định. Những điện tử được làm ổn định trên những quỹ đạo của chúng do sự cân bằng của những lực ly tâm 37 và Coulomb.
38. Nguyên tử Hydrogen Do sự cân bằng giữa lực ly tâm và lực tĩnh điện, tồn tại một liên hệ vận tốc điện tử và bán kính của lõi. Vận tốc của mỗi điện tử liên hệ với bán kính quỹ đạo với tâm ở lõi. Vì một điện tử cĩ thễ cĩ những năng lượng khác nhau, nĩ cĩ thể cĩ những bán kính khác nhau đến lõi của nguyên tử. Tuy nhiên, mơ hình cĩ những vấn đề sau:  Theo điện động học cổ điển, hạt cĩ tích điện trên quỹ đạo dẫn đến tạo thành một lưỡng cực từ mà bức xạ năng lượng. Do mất mát năng lượng, hạt sẽ bị hút nhiều hơn vào lõi, mà dẫn đến đường đi như hình xoắn ốc. Cuối cùng hạt sẽ rơi vào lõi của nguyên tử. 38
39. Nguyên tử Hydrogen (tt) Để giải quyết vấn đề này, ơng Bohr đã đề nghị tiên đề sau: các mức năng lượng của nguyên tử và bán kính quỹ đạo được lượng tử hĩa. Các mức năng lượng được cho phép của nguyên tử Hydrogen được cho bởi: với EB là năng lượng Bohr và n là số lượng tử nguyên tắc (principle quantum number). Năng lượng Bohr được cho bởi: với aB là bán kính Bohr, q là điện tích điện tử (là điện tích cơ bản) và 0 là hằng số điện mơi chân khơng. Những năng lượng điện tử giữa những mức năng lượng En khơng được cho phép. 39
40. Nguyên tử Hydrogen (tt) Khi những năng lượng điện tử được lượng tử hĩa và những bán kính của những mức năng lượng (energy levels) cũng được lượng tử hĩa. Những mức năng lượng của một nguyên tố là duy nhất. Sự tạo thành hay tách ra của những mức năng lượng này cho phép tạo thành những dải năng lượng (enery bands). Những năng lượng, mà ở giữa những năng lượng đã được định nghĩa, được gọi là những dải năng lượng cấm (forbidden energy bands) hay những dải cấm. Người ta thường dùng đơn vị của năng lượng là eV (electronvolt). Đại lượng eV là đơn vị năng lượng tương ứng điện tử cĩ được khi thế của nĩ tăng thêm 1V (1eV=1.6 x 10-19AVs=1.6 x 10-19J). Bán kính Bohr được cho bởi: 40 với h là hằng số Planck và me là khối lượng của điện tử.
41. Nguyên tử Hydrogen (tt) Mơ hình nguyên tử của Bohr cĩ thể kết hợp với lý thuyết quang tử (photon) của Einstein. Hiệu số năng lượng giữa 2 mức năng lượng n và m (năng lượng photon) được cho bởi: En ứng với mức năng lượng cao hơn. Chuyễn tiếp từ mức năng lượng cao hơn xuống thấp hơn dẫn đến mất năng lượng. Năng lượng được giải phĩng dưới dạng photon, với f là tần số của ánh sáng được phát xạ. Tần số f và bước sĩng  tương ứng của ánh sáng được cho bởi: 41
42. Những dải năng lượng Ta chuyển việc khảo sát từ nguyên tử đơn sang khảo sát chất rắn. Với một nguyên tử cách ly, các điện tử cĩ các mức năng lượng rời rạc. Khi số p các nguyên tử cách ly được gom lại với nhau để tạo thành chất rắn, quỹ đạo của các điện tử ngồi cùng phủ lấp nhau và tương tác với nhau. Sự tương tác này bao gồm những lực hút và đẩy giữa các nguyên tử. Những lực hút giữa các nguyên tử gây ra sự dịch các mức năng lượng. Thay vì tạo thành những mức đơn, như trong trường hợp đơn nguyên tử, p mức năng lượng được tạo thành. Những mức năng lượng ở gần nhau. Khi p lớn, những mức năng lượng khác nhau tạo thành một dải liên tục. Những mức và do đĩ những dải cĩ thể mở rộng lên nhiều eV tùy theo khoảng cách giữa các nguyên tử và phân tử. 42
43. Cấu trúc dải năng lượng của bán dẫn Bây giờ chúng ta chuyển từ mơ tả tổng quát cấu trúc dải năng lượng trong chất rắn sang trường hợp cụ thể hơn của silicon. Một nguyên tử silicon cách ly cĩ 14 điện tử. Trong 14 điện tử, cĩ 10 điện tử chiếm những mức năng lượng sâu hơn. Do đĩ, bán kính quỹ đạo nhỏ hơn lực tách giữa những phân tử trong tinh thể. 10 điện tử bị liên kết chặt với các nguyên tử. Bốn điện tử dải hĩa trị cịn lại cĩ liên kết yếu với lõi và cĩ thể tham gia vào các phản ứng hĩa học. Do đĩ, chúng ta cĩ thể tập trung vào lớp vỏ ngồi cùng (mức n=3). Mức n=3 gồm các lớp vỏ con 3s (n=3 và l=0) và 3p (n=3 và l=1). Lớp vỏ con 3s cĩ 2 mức trạng thái cho phép trên 1 nguyên tử và cả hai trạng thái được lắp bởi 1 điện tử (ở 0oK). Lớp vỏ con 3p cĩ 6 trạng thái cho phép và 2 trong các trạn thái này được lắp bởi những điện tử cịn lại. 43
44. Biểu diễn sơ đồ của nguyên tử silicon cách ly 44
45. Sự tạo thành những dải năng lượng trong silicon theo hàm khoảng cách giữa các nguyên tử trong mạng tinh thể. 45
46. Khe năng lượng (bandgap) Đáy của dải dẫn được gọi là EC và đỉnh của dải hĩa trị được gọi là EV. Hiệu số năng lượng giữa đáy dải dẫn và đỉnh dải hĩa trị được gọi là khe năng lượng EG. Khe năng lượng EG = EC – EG ở giữa đáy dải dẫn và đỉnh dải hĩa trị bằng bề rộng dải cấm. EG là năng lượng cần để phá vở liên kết trong bán dẫn để cho một điện tử trong dải dẫn và để một lỗ trống trong dải hĩa trị. Sự thiếu hụt một điện tử trong dải hĩa trị được coi là một lỗ [trống tự do]. Sự thiếu hụt trong dải hĩa trị cĩ thể được lấp bằng điện tử lân cận, mà dẫn đến sự dịch chuyển vị trí thiếu hụt, xem như lỗ di chuyển. Lỗ cĩ điện tích dương. Cả hai điện tử và lỗ gĩp phần vào tạo nên dịng điện. 46
47. 2.5.2 Giản đồ năng lượng-momentum Nếu 1 điện tử được kích thích vào dải dẫn, nĩ cĩ thể di chuyển tự do trong tinh thể, từ đĩ điện tử cĩ thể được xem như một hạt trong khơng gian tự do. Sự truyền lan của điện tử tự do cĩ thể được mơ tả bằng hàm sĩng, là lời giải của phương trình Schrưdinger. Hàm sĩng cho điện tử tự do được cho bởi với k là vector sĩng cĩ phương trình sau: p là momentum (mơ-măn) của điện tử. Do biểu thức này, năng lượng điện tử cĩ thể được cho trước theo hàm của vector sĩng. Ta nĩi về biểu diễn khơng gian k. Các dải năng lượng lúc này cĩ thể được xác định theo hàm của vector k. 47
48. Giản đồ năng lượng-momentum (tt) 48
49. Khối lượng hiệu dụng của điện tử mn phụ thuộc vào tính chất của bán dẫn. Nếu ta cĩ quan hệ năng lượng-momentum như sau thì ta cĩ thể tính được khối lượng hiệu dụng qua đạo hàm bậc 2 của E theo p: Do đĩ khi parabola càng hẹp, tương ứng với đạo hàm bậc 2 càng lớn, thì khối lượng hiệu dụng càng nhỏ. Ta cĩ biểu thức tương tự với lỗ (cĩ khối lượng hiệu dụng mp). Khái niệm khối lượng hiệu dụng rất hữu ích vì nĩ giúp xem điện tử và lỗ như các hạt tích điện cổ điển. 49
50. TD về giản đồ năng lượng - momentum m0 = khối lượng của điện tử tự do 50
51. Giản đồ năng lượng-momentum [cgl giản đồ dải năng lượng] của (a) bán dẫn gián tiếp (Td: Si ) và (b) bán dẫn trực tiếp (Td: GaAs) • GaAs được gọi là bán dẫn trực tiếp vì nĩ khơng cần sự thay đổi momentum để chuyển điện tử từ dải hĩa trị sang dải dẫn. • Si được gọi là bán dẫn gián tiếp vì nĩ cần sự thay đổi momentum để chuyển 51 điện tử từ dải hĩa trị sang dải dẫn.
52. 2.5.3 Sự dẫn điện trong kim loại, bán dẫn và chất cách điện Hình 19 cho thấy giản đồ dải năng lượng của 3 loại chất rắn: dẫn điện (kim loại), bán dẫn, và cách điện.  Chất dẫn điện: cĩ điện trở suất rất thấp và dải dẫn được đổ đầy 1 phần điện tử tự do (như đồng) hoặc phủ lấp dải hĩa trị (như kẽm và chì) để khơng cĩ khe năng lượng.  Chất bán dẫn: cĩ khe năng lượng 4eV (như SiO2). Các điện tử hĩa trị tạo nên liên kết mạnh với các nguyên tử lân cận. Ở nhiệt độ phịng, nhiệt năng khơng đủ kích thích các điện tử vào dải dẫn khơng dẫn điện cách điện. 52
53. Phân loại vật liệu theo khe năng lượng 54
54. So sánh giữa mơ hình liên kết hĩa trị và mơ hình dải năng lượng Eg = năng lượng cần làm gãy 1 liên kết đồng hĩa trị Khơng cĩ Khơng cĩ điện tử trong dải dẫn và liên kết bị Khơng cĩ trạng thái trống trong dải hĩa trị phá vở Khơng cĩ dịng điện Ở T = 0K Sinh cặp điện tử-lỗ Liên kết Điện tử (trong dải dẫn và) bị phá vở Lỗ (trạng thái trống trong dải hĩa trị) Khi cĩ kích thích là nhiệt năng hay quang năng Những hạt dẫn: - Những điện tử trong dải dẫn - Những lỗ (trạng thái trống) trong dải hĩa trị 55
55. Một số thuật ngữ thường dùng trong lý thuyết dải năng lượng: Một số thuật ngữ thường dùng trong lý thuết dải năng lượng: NV: mật độ trạng thái hiệu dụng của dải hĩa trị, đây là số lỗ tối đa trên 1 đơn vị thể tích mà ta cĩ thể tìm thấy trong tồn bộ vùng hĩa trị. NC: mật độ trạng thái hiệu dụng của dải dẫn, đây là số điện tử tối đa trên 1 đơn vị thể tích mà ta cĩ thể tìm thấy trong tồn bộ dãi dẫn. n: nồng độ điện tử (electron concentration) là số điện tử trên 1 đơn vị thể tích trong dải dẫn. p: nồng độ lỗ (hole concentration) là số lỗ trống trên 1 đơn vị thể tích trong dải hĩa trị. Chú ý: n và p cịn được gọi là các nồng độ hạt dẫn (carrier concentration) vì chúng là những hạt mang điện tích tự do và chuyển động theo điện trường để tạo thành dịng điện. 56
56. 2.6 Nồng độ hạt dẫn nội tại (Intrinsic concentrations) 57
57. Các tính chất vật liệu và hạt dẫn Bán dẫn thuần và bán dẫn cĩ pha tạp chất (Intrinsic and extrinsic Semiconductors)  Vật liệu được xem là bán dẫn thuần (cịn gọi là bán dẫn nội tại hay tinh khiết) nếu vật liệu chứa một lượng tạp chất tương đối nhỏ.  Vật liệu được xem là bán dẫn cĩ pha tạp chất (cịn gọi là bán dẫn ngoại lai) nếu vật liệu chứa một lượng tạp chất tương đối lớn. Bán dẫn ở cân bằng nhiệt Ta giả sử đang xét bán dẫn thuần và bỏ qua các ảnh hưởng của tạp chất với bán dẫn. Ngồi ra ta giả sử bán dẫn ở cân bằng nhiệt, nghĩa là bán dẫn khơng bị tác động bởi các kích thích bên ngồi như ánh sáng, áp suất hay điện trường. Bán dẫn được giữ ở nhiệt độ khơng đổi trên tồn bộ mẫu thử (nghĩa là khơng cĩ gradient nhiệt độ trong chất bán dẫn). 58
58. Tính nồng độ điện tử Để cĩ được nồng độ điện tử (số điện tử trên 1 đơn vị thể tích) trong bán dẫn nội tại, trước hết ta phải tìm mật độ điện tử trong 1 gia số năng lượng dE. Mật độ này n(E) được cho bởi tích của mật độ trạng thái N(E), nghĩa là mật độ của các trạng thái năng lượng được cho phép trên năng lượng E trên 1 đơn vị thể tích, với xác suất chiếm trạng thái năng lượng đĩ F(E). Như vậy nồng độ điện tử trong dải dẫn cĩ được bằng cách lấy tích phân N(E) F(E) dE từ đáy của dải dẫn (E, để cho đơn giản ban đầu cho E=0) đến đỉnh của dải dẫn Etop: với n theo cm-3, N(E) theo (cm3eV)–1. 59
59. Hàm phân bố Fermi-Dirac Xác suất mà 1 điện tử chiếm 1 trạng thái điện tử với năng lượng E được cho bởi hàm phân bố Fermi-Dirac, cịn được gọi là hàm phân bố Fermi. với k là hằng số Boltzmann, T là nhiệt độ tuyệt đối theo độ Kelvin, và EF là mức năng lượng Fermi. Năng lượng Fermi là năng lượng mà ở đĩ xác suất được chiếm bởi điện tử chính xác bằng 0.5. Phân bố Fermi được minh họa ở hình 20 với các nhiệt độ khác nhau. Chú ý là F(E) đối xứng quanh mức năng lượng Fermi. Với những năng lượng mà lớn hơn (hoặc nhỏ hơn) 3kT so với năng lượng Fermi, số hạng mũ > 20 (hoặc <0.05). Phân bố Fermi cĩ thể được xấp xỉ bằng các biểu thức đơn giản hơn: Phương trình 11b cĩ thể được xem như xác suất của lỗ chiếm mức năng lượng E. 60
60. Hình 20. Hàm phân bố Fermi F(E) theo E – EF với các nhiệt độ khác nhau 61
61. Bán dẫn thuần ở cân bằng nhiệt 62
62. Mật độ trạng thái Ta cĩ thể tính các mật độ trạng thái bằng phương trình Schrưdinger. Tuy nhiên ta sẽ khơng bàn về việc suy ra hàm mật độ trạng thái. SV cĩ thể đọc thêm trong phụ lục H của sách “Semiconductor Devices”, tác giả M.S Sze. với NC là mật độ trạng thái điện tử và NV là Mật độ trạng thái lỗ Mật độ trạng thái được xác định bởi một tham số vật liệu, đĩ là khối lượng hiệu dụng của điện tử (me) hay lỗ (mh). Do đĩ, mật độ trạng thái của điện tử và lỗ thường khác nhau. 63
63. Mức (hay năng lượng) Fermi EF và nồng độ hạt dẫn cân bằng 64
64. Phân bố Fermi-Dirac của điện tử Fe(E) và lỗ Fh(E). Cân bằng nhiệt Chất bán dẫn ở cân bằng nhiệt, nếu nhiệt độ ở mỗi vị trí của tinh thể là như nhau, dịng điện tổng cộng qua vật liệu bằng 0, và chất rắn khơng bị chiếu sáng. Ngồi ra ta cịn giả sử rằng khơng cĩ phản ứng hĩa học tham dự. Do đĩ năng lượng Fermi trên tồn vật liệu là như nhau: 65 EF = EF(x, y, z) = const
65. Năng lượng Fermi trong chất rắn 66
66. Phân bố Boltzmann Chú ý: Các phương trình trên chỉ áp dụng cho bán dẫn ở điều kiện cân bằng (đkcb). 67
67. Nồng độ hạt dẫn nội tại 68
68. Nồng độ hạt dẫn nội tại ni 69
69. Biểu diễn n & p qua ni 70
70. TD các giá trị NC, NV và ni của 1 số bán dẫn thơng dụng (ở 300oK) 71
71. 2.6 Chất Donor và chất Acceptor Bán dẫn cĩ pha tạp chất Bán dẫn loại P và bán dẫn loại N 72
72. Chất cho điện tử (donor) và chất nhận điện tử (acceptor) Khi bán dẫn bị pha tạp chất (với 1 lượng lớn tạp chất) thì người ta gọi nĩ là bán dẫn ngoại lai hay bán dẫn cĩ pha tạp chất. Trong phần này ta sẽ xét ảnh hưởng của các acceptor và donor lên các tính chất của vật liệu. Ta sẽ tập trung xét pha tạp chất cho silicon. (a) Mạng tinh thể Si loại N với pha tạp chất bằng các nguyên tử donor As hay P (arsenic hay phosphorus). 73 (b) Mạng tinh thể Si loại P với pha tạp chất bằng các nguyên tử acceptor B (boron).
73. Donors When a semiconductor is doped with impurities  Extrinsic semiconductor  The impurity energy level are introduced N-type Si with donor  Arsenic atom with five valence electron Covalent bonds with its four neighboring Si atoms The fifth electron  Relatively small bonding energy to its host arsenic atom  Be “ionized” to become a conduction electron The arsenic atom is called a donor  Silicon become n-type Because the addition of the negative charge carrier 74
74. Acceptors P-type Si with acceptor  Boron atom with three valence electron  An additional electron is “accepted” to form four covalent bonds around the boron  A positive charged “hole” is created in the valence band  Boron is an acceptor 75
75. Giản đồ dải năng lượng của bán dẫn loại N và bán dẫn loại P 76
76. Năng lượng ion hĩa của các tạp chất trong Si và GaAs 77
77. 2.7 Nồng độ hạt dẫn trong bán dẫn loại N và P 78
78. Bán dẫn loại N 79
79. Quan hệ giữa nồng độ điện tử n và nồng độ lỗ trong bán dẫn 80
80. Định luật tác động khối lượng (Mass action law) Cịn được gọi là định luật tác dụng khối lượng: Trong điều kiện cân bằng nhiệt thì tích số của nồng độ hạt dẫn âm và dương tự do là hằng số, bất chấp lượng tạp chất donor và acceptor pha vào trong bán dẫn: 2 np = ni Chú ý: Định luật này luơn luơn đúng với bán dẫn khơng suy biến! 81
81. Nồng độ hạt dẫn trong bán dẫn N Nếu cả hai tạp chất donor và acceptor đồng thời hiện diện thì tạp chất nào cĩ nồng độ cao hơn sẽ quyết định loại dẫn điện nào trong bán dẫn. Mức Fermi phải tự điều chỉnh để duy trì sự trung hịa điện tích, nghĩa là tổng điện tích âm (các điện tử và các acceptor bị ion hĩa) phải bằng tổng điện tích dương (các lỗ và các donor bị ion hĩa). Dưới điều kiện ion hĩa hồn tồn, ta cĩ 2 Giải phương trình np=ni với (30) ta cĩ Chỉ số n chỉ bán dẫn loại N 82
82. Nồng độ hạt dẫn trong bán dẫn P (NA >ND) Trong bán dẫn N: hạt dẫn đa số là điện tử và hạt dẫn thiểu số là lỗ. Tương tự, ta cĩ được nồng độ lỗ (hạt dẫn đa số) và điện tử (hạt dẫn thiểu số) trong bán dẫn P: Chỉ số p chỉ bán dẫn loại P 83
83. Bán dẫn cĩ bổ chính (Compensated Semiconductor) 84
84. Mức Fermi là hàm của nhiệt độ và nồng độ tạp chất Vị trí của mức Fermi trong giản đồ dải năng lượng EF = EC – kT ln (NC/ND) với bán dẫn N EF = EV + kT ln (NV/NA) với bán dẫn P - - Thế Fermi F = (Ei – EF)/q  Dùng để xác định mức Fermi,  Dùng để viết phương trình n và p gọn hơn  Dấu của thế Fermi cho ta biết bán dẫn loại gì. Thế khối b = - F = (EF – Ei)/q 85
85. Hình 20 (a) Mức Fermi trong Si là hàm của nhiệt độ và nồng độ tạp chất T (K) 86
86. Ảnh hưởng của nhiệt độ đến nồng độ hạt dẫn (Td: Si loại N, xét nn) Ở nhiệt độ thấp  Nhiệt năng khơng đủ ion hĩa tất cả các tạp chất donor  Một số điện tử bị “đĩng băng” ở mức donor  Nồng độ điện tử < nồng độ donor Khi tăng nhiệt độ  Điều kiện để đạt được ion hĩa hồn tồn là nn=ND Khi tăng nhiệt độ thêm nữa  Nồng độ điện tử khơng đổi trên 1 dải rộng nhiệt độ  Miền ngoại lai Khi tăng nhiệt độ hơn nữa  Nồng độ hạt dẫn nội tại trở nên cĩ thể so sánh được với nồng độ donor  Bán dẫn trở thành bán dẫn nội tại  Nhiệt độ này phụ thuộc vào ND và Eg 87
87. Bán dẫn suy biến và khơng suy biến Phần lớn các dụng cụ điện tử, nồng độ điện tử và lỗ nhỏ hơn nhiều mật độ trạng thái hiệu dụng trong dải dẫn hay dải hĩa trị. Mức Fermi tối thiểu cao hơn dải hĩa trị 3kT hay thấp hơn dải dẫn 3kT. Trong trường hợp này ta gọi bán dẫn khơng suy biến (non- degenerated semiconductor). Khi pha rất nhiều tạp chất, các nồng độ tạp chất cao hơn các mật độ trạng thái hiệu dụng trong dải hĩa trị và dải dẫn. Trong trường hợp như vậy ta cĩ bán dẫn suy biến (degenerated semiconductor) và các mức Fermi dịch vào dải dẫn hay dải hĩa trị. Dưới những điều kiện như vậy ta khơng thể áp dụng các phương trình đã được suy ở phần trước. Tuy nhiên, việc chế tạo bán dẫn suy biến cũng cần thiết. Thí dụ chế tạo các diode LASER cần đảo ngược mật độ, mà cĩ thể chỉ đạt được việc này nếu bán dẫn là loại suy biến. 88